IRFH5207TRPBF

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Continuous Drain Id25

13A Ta 71A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Breakdown Voltage

75V

Rds On Max Id Vgs

9.6m Ω @ 43A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

4V @ 100μA

Uzunluk

5.9944mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn On Delay Time

7.2 ns

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

59nC @ 10V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

3.6W

Genişlik

5mm

Direnç

9.6MOhm

Jesd30 Code

R-PDSO-N5

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

7.1 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2010

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Turn Off Delay Time

20 ns

Montaj

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

5

Power Dissipation Max

3.6W Ta 105W Tc

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Contact Plating

Tin

Rise Time

12ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yükseklik

838.2μm

Vgs Max

±20V

Continuous Drain Current Id

71A

Number Of Elements

1

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Obsolete