IRFH3702TR2PBF

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Rds On Max Id Vgs

7.1mOhm @ 16A, 10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

16A Ta 42A Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rds On Max

7.1 mΩ

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 4.5V

Pin Sayısı

8

Turn On Delay Time

9.6 ns

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Uzunluk

2.9972mm

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

Genişlik

2.9972mm

Power Dissipation

2.8W

Seri

HEXFET®

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-PQFN (3x3)

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Direnç

7.1MOhm

Drain To Source Resistance

7.1mOhm

Turn Off Delay Time

11 ns

Element Configuration

Single

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Nominal Vgs

1.8 V

Fall Time Typ

5.8 ns

Continuous Drain Current Id

16A

Yükseklik

939.8μm

Rise Time

15ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Input Capacitance

1.51nF

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

Max Power Dissipation

2.8W