IRFB59N10DPBF

Teknik Özellikler

Turn On Delay Time

16 ns

Yükseklik

8.763mm

Case Connection

DRAIN

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Power Dissipation

200W

Dual Supply Voltage

100V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

3

Continuous Drain Current Id

59A

Rise Time

90ns

Montaj

Through Hole

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2450pF @ 25V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Voltage Rated Dc

100V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Threshold Voltage

5.5V

Akım Değeri

59A

Yayın Yılı

2000

Nominal Vgs

5.5 V

Power Dissipation Max

3.8W Ta 200W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Vgs Max

±30V

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Jedec95 Code

TO-220AB

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

4.69mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fall Time Typ

12 ns

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Current Continuous Drain Id25

59A Tc