IRFB42N20DPBF

Teknik Özellikler

Case Connection

DRAIN

Yükseklik

15.24mm

Turn On Delay Time

18 ns

Element Configuration

Single

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Uzunluk

10.5156mm

Dual Supply Voltage

200V

Power Dissipation

300W

Drain Currentmax Abs Id

42.6A

Continuous Drain Current Id

44A

Pin Sayısı

3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj

Through Hole

Rise Time

69ns

Nominal Vgs

5.5 V

Yayın Yılı

2001

Akım Değeri

42A

Threshold Voltage

5.5V

Recovery Time

330 ns

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.4W Ta 330W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

3430pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Voltage Rated Dc

200V

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Through Hole

Vgs Max

±30V

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Not For New Designs

Fall Time Typ

32 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Genişlik

4.69mm

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

Jedec95 Code

TO-220AB

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No