
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 3
- Continuous Drain Current Id
- 38A
- Montaj
- Through Hole
- Rise Time
- 23ns
- Rds On Max Id Vgs
- 69m Ω @ 24A, 10V
- Current Continuous Drain Id25
- 38A Tc
- Seri
- HEXFET®
- Yayın Yılı
- 2012
- Threshold Voltage
- 5V
- Vgsth Max Id
- 5V @ 250μA
- Reach Svhc
- No SVHC
- Number Of Elements
- 1
- Ambalaj
- Tube
- Power Dissipation Max
- 341W Tc
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Turn Off Delay Time
- 34 ns
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 125nC @ 10V
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 5168pF @ 50V
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 300V
- Gate To Source Voltage Vgs
- 20V
- Direnç
- 69MOhm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- TO-220-3
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~175°C TJ
- Yükseklik
- 9.02mm
- Turn On Delay Time
- 18 ns
- Element Configuration
- Single
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 10V
- Fet Type
- N-Channel
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Vgs Max
- ±20V
- Uzunluk
- 10.67mm
- Parça Durumu
- Active
- Fall Time Typ
- 20 ns
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Genişlik
- 4.83mm
- Power Dissipation
- 341W
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Stokta
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors

