IRFB31N20DPBF

Teknik Özellikler

Dual Supply Voltage

200V

Power Dissipation

200W

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Avalanche Energy Rating Eas

420 mJ

Yükseklik

8.763mm

Case Connection

DRAIN

Element Configuration

Single

Turn On Delay Time

16 ns

Uzunluk

10.5156mm

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation Max

3.1W Ta 200W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

1998

Nominal Vgs

5.5 V

Recovery Time

300 ns

Threshold Voltage

5.5V

Akım Değeri

31A

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

200V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2370pF @ 25V

Rise Time

38ns

Montaj

Through Hole

Continuous Drain Current Id

31A

Pin Sayısı

3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Fall Time Typ

10 ns

Genişlik

4.69mm

Kurşunsuz

Contains Lead, Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

ECCN Kodu

EAR99

Jedec95 Code

TO-220AB

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Not For New Designs

Transistor Element Material

SILICON