IRF9333TRPBF

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

2.4V @ 25μA

Seri

HEXFET®

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Direnç

19.4MOhm

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 10V

Turn Off Delay Time

55 ns

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

9.2A Ta

Rds On Max Id Vgs

19.4m Ω @ 9.2A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Pulsed Drain Currentmax Idm

75A

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fall Time Typ

49 ns

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

3.9878mm

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

P-Channel

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Threshold Voltage

-1.8V

Yayın Yılı

2010

Nominal Vgs

-1.8 V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1110pF @ 25V

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Rise Time

44ns