IRF8707GPBF

Teknik Özellikler

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Threshold Voltage

1.8V

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yayın Yılı

2008

Nominal Vgs

1.8 V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

11.9 mΩ

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

760pF @ 15V

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate Charge Qg Max Vgs

9.3nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

7.3 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

11mA

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Montaj

Surface Mount

Rise Time

7.9ns

Rds On Max Id Vgs

11.9mOhm @ 11A, 10V

Current Continuous Drain Id25

11A Ta

Input Capacitance

760pF

Fall Time Typ

4.4 ns

Power Dissipation

2.5W

Genişlik

3.9878mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

6.7 ns

Yükseklik

1.4986mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fet Type

N-Channel

Uzunluk

4.9784mm