IRF8010PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

61 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

120nC @ 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Direnç

15Ohm

Kılıf / Paket

TO-220-3

Contact Plating

Tin

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Rds On Max Id Vgs

15m Ω @ 45A, 10V

Fall Time Typ

120 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Genişlik

4.69mm

Kurşunsuz

Lead Free

Jedec95 Code

TO-220AB

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Through Hole

Vgs Max

±20V

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Nominal Vgs

4 V

Yayın Yılı

2002

Recovery Time

150 ns

Threshold Voltage

4V

Akım Değeri

80A

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

260W Tc

Input Capacitance Ciss Max Vds

3830pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Voltage Rated Dc

100V

Drain Currentmax Abs Id

75A