IRF7855TRPBF

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

540 mJ

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Turn On Delay Time

8.7 ns

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.4986mm

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fall Time Typ

12 ns

Power Dissipation

2.5W

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

12A Ta

Rds On Max Id Vgs

9.4m Ω @ 12A, 10V

Rise Time

13ns

Montaj

Surface Mount

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

97A

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

12A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Vgsth Max Id

4.9V @ 100μA

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2006

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8