IRF7834TRPBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2004

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Akım Değeri

19A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Gate Charge Qg Max Vgs

44nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

18 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

3710pF @ 15V

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

4.5MOhm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Drain Current Id

19A

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

19A Ta

Rds On Max Id Vgs

4.5m Ω @ 19A, 10V

Rise Time

14.3ns

Montaj

Surface Mount

Fall Time Typ

5 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Genişlik

3.9878mm

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

2.5W

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

Single

Yükseklik

1.4986mm

Turn On Delay Time

13.7 ns

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Parça Durumu

Obsolete