IRF7828TRPBF

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2007

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

Rds On Max

12.5 mΩ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Input Capacitance Ciss Max Vds

1010pF @ 15V

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 5V

Turn Off Delay Time

9.7 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Radyasyon Dayanımı

No

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Continuous Drain Current Id

13.6A

Pin Sayısı

8

Input Capacitance

1.01nF

Current Continuous Drain Id25

13.6A Ta

Rds On Max Id Vgs

12.5mOhm @ 10A, 4.5V

Rise Time

2.7ns

Montaj

Surface Mount

Fall Time Typ

7.3 ns

Power Dissipation

2.5W

Genişlik

3.9878mm

Turn On Delay Time

6.3 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yükseklik

1.4986mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Drain To Source Resistance

12.5mOhm

Parça Durumu

Obsolete