IRF7807VTRPBF

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max Id Vgs

25m Ω @ 7A, 4.5V

Rise Time

1.2ns

Montaj

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

8.3A Ta

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

8.3A

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2003

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Akım Değeri

8.3A

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

30V

Turn Off Delay Time

11 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 5V

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Direnç

25MOhm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yükseklik

1.4986mm

Turn On Delay Time

6.3 ns

Parça Durumu

Not For New Designs

Vgs Max

±20V

Uzunluk

4.9784mm

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Fall Time Typ

2.2 ns

Configuration

Single

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Power Dissipation

2.5W

ECCN Kodu

EAR99