IRF7759L2TR1PBF

Teknik Özellikler

Yükseklik

508μm

Element Configuration

Single

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

18 ns

Fet Type

N-Channel

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Resistance

1.8mOhm

Uzunluk

9.144mm

Vgs Max

±20V

Parça Durumu

Obsolete

Fall Time Typ

33 ns

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

7.1mm

Power Dissipation

125W

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Drain Current Id

26A

Pin Sayısı

5

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET L8

Current Continuous Drain Id25

26A Ta 375A Tc

Rds On Max Id Vgs

2.3mOhm @ 96A, 10V

Rise Time

37ns

Montaj

Surface Mount

Input Capacitance

12.222nF

Yayın Yılı

2009

Seri

HEXFET®

Nominal Vgs

3 V

Drain To Source Voltage Vdss

75V

Recovery Time

96 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Threshold Voltage

3V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

2.3 mΩ

Power Dissipation Max

3.3W Ta 125W Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate Charge Qg Max Vgs

300nC @ 10V

Turn Off Delay Time

80 ns

Direnç

2.3MOhm