IRF7739L2TR1PBF

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Rise Time

71ns

Power Dissipation

125W

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET L8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N-Channel

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

46A

Current Continuous Drain Id25

46A Ta 375A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max

1 mΩ

Vgs Max

±20V

Recovery Time

130 ns

Drain To Source Resistance

1mOhm

Direnç

1MOhm

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn On Delay Time

21 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

7.1mm

Nominal Vgs

2.8 V

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

11880pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

508μm

Reach Svhc

No SVHC

Rds On Max Id Vgs

1mOhm @ 160A, 10V

Threshold Voltage

2.8V

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric L8

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

42 ns

Uzunluk

9.144mm

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

3.8W Ta 125W Tc

Drain To Source Voltage Vdss

40V