IRF7706TRPBF

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

1.51W Ta

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2009

Input Capacitance

2.211nF

Gate Charge Qg Max Vgs

72nC @ 10V

Turn Off Delay Time

244 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

2211pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

1.0414mm

Kılıf / Paket

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

Rds On Max Id Vgs

22mOhm @ 7A, 10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Uzunluk

3.0988mm

Fall Time Typ

122 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Turn On Delay Time

17 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Genişlik

4.4958mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

1.51W

Rise Time

46ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-TSSOP

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

-7A

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

P-Channel

Rds On Max

22 mΩ

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

7A Ta

Vgs Max

±20V

Drain To Source Resistance

36mOhm