IRF7492PBF

Teknik Özellikler

Power Dissipation

2.5W

Dual Supply Voltage

200V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

13ns

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

3.7A

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N-Channel

Current Continuous Drain Id25

3.7A Ta

Radyasyon Dayanımı

No

Rds On Max

79 mΩ

Vgs Max

±20V

Drain To Source Resistance

79mOhm

Recovery Time

100 ns

Pin Sayısı

8

Turn On Delay Time

15 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Genişlik

4.05mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Nominal Vgs

2.5 V

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

1820pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

1.4986mm

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Rds On Max Id Vgs

79mOhm @ 2.2A, 10V

Threshold Voltage

2.5V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tube

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

14 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

200V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Drain To Source Voltage Vdss

200V