IRF7488PBF

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

29m Ω @ 3.8A, 10V

Threshold Voltage

4V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1680pF @ 25V

Yükseklik

1.4986mm

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tube

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

6.3A

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation

2.5W

Dual Supply Voltage

80V

Rise Time

12ns

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±20V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Seri

HEXFET®

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

16 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

80V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

80V

Yayın Yılı

2004

Number Of Elements

1

Avalanche Energy Rating Eas

96 mJ

Drainsource On Resistancemax

0.029Ohm

Row Spacing

6.3 mm

Gate Charge Qg Max Vgs

57nC @ 10V

Turn Off Delay Time

44 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C