IRF7453PBF

Teknik Özellikler

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

930pF @ 25V

Reach Svhc

No SVHC

Rds On Max Id Vgs

230mOhm @ 1.3A, 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

250V

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2004

Voltage Rated Dc

250V

Montaj

Surface Mount

Akım Değeri

2.2A

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

250V

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 10V

Input Capacitance

930pF

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Dual Supply Voltage

250V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

2.5ns

Power Dissipation

2.5W

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N-Channel

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

2.2A

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Vgs Max

±30V

Current Continuous Drain Id25

2.2A Ta

Rds On Max

230 mΩ

Terminal

SMD/SMT

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

5.5V @ 250μA

Montaj Tipi

Surface Mount

Nominal Vgs

5.5 V

Kurşunsuz

Lead Free