IRF7451PBF

Teknik Özellikler

Threshold Voltage

5.5V

Rds On Max Id Vgs

90m Ω @ 2.2A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

990pF @ 25V

Yükseklik

1.4986mm

Ambalaj

Tube

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

3.6A

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation

2.5W

Dual Supply Voltage

150V

Rise Time

4.2ns

Pin Sayısı

8

Terminal

SMD/SMT

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±30V

Vgsth Max Id

5.5V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Seri

HEXFET®

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

15 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

150V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2004

Voltage Rated Dc

150V

Number Of Elements

1

Drainsource On Resistancemax

0.09Ohm

Turn Off Delay Time

17 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

41nC @ 10V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Continuous Drain Current Id

3.6A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Fet Type

N-Channel