Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gate Charge Qg Max Vgs
- 20nC @ 4.5V
- Vgsth Max Id
- 900mV @ 250μA
- Power Dissipation Max
- 2.5W Ta
- Drain To Source Voltage Vdss
- 12V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2004
- Current Continuous Drain Id25
- 8.9A Ta
- Ambalaj
- Tube
- Vgs Max
- ±8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Seri
- HEXFET®
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Input Capacitance Ciss Max Vds
- 1877pF @ 10V
- Drive Voltage Max Rds On Min Rds On
- 1.8V 4.5V
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Fet Type
- P-Channel
- Parça Durumu
- Obsolete
- Rds On Max Id Vgs
- 24m Ω @ 8.7A, 4.5V
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors