IRF7410GTRPBF

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

P-Channel

Continuous Drain Current Id

16A

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

1.8V 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

18ns

Power Dissipation

2.5W

Pin Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±8V

Terminal Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

16A Ta

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Pulsed Drain Currentmax Idm

65A

Genişlik

3.9878mm

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

Vgsth Max Id

900mV @ 250μA

JESD-609 Kodu

e3

Turn On Delay Time

13 ns

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rds On Max Id Vgs

7m Ω @ 16A, 4.5V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.4986mm

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

8676pF @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-12V

Fall Time Typ

300 ns

Uzunluk

4.9784mm

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2009

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)