IRF7353D1PBF

Teknik Özellikler

Rise Time

8.9ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Forward Voltage

390mV

Dual Supply Voltage

30V

Power Dissipation

20W

Rds On Max

32 mΩ

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±20V

Drain To Source Resistance

46mOhm

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Input Capacitance Ciss Max Vds

650pF @ 25V

Yükseklik

1.4986mm

Rds On Max Id Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Threshold Voltage

1V

Ambalaj

Tube

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Forward Surge Current Ifsm

11A

Power Dissipation Max

2W Ta

Akım Değeri

6.5A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N-Channel

Fet Feature

Schottky Diode (Isolated)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

6.5A

Current Continuous Drain Id25

6.5A Ta

Turn On Delay Time

8.1 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

3.9878mm

Nominal Vgs

1 V

Forward Current

2.7A

Seri

FETKY™

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Fall Time Typ

17 ns

Uzunluk

4.9784mm