IRF7240TRPBF

Teknik Özellikler

Akım Değeri

-10.5A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

2.5W Ta

Threshold Voltage

-3V

Rds On Max Id Vgs

15m Ω @ 10.5A, 10V

Element Configuration

Single

Yükseklik

1.75mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

9250pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Channels

1

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz

Lead Free

Max Junction Temperature Tj

150°C

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

490ns

Power Dissipation

2.5W

Direnç

15mOhm

Pin Sayısı

8

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

-40V

Yayın Yılı

2005

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Number Of Elements

1

Turn Off Delay Time

210 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

110nC @ 10V

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Seri

HEXFET®

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-40V

Fall Time Typ

97 ns