IRF6712STRPBF

Teknik Özellikler

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

JESD-609 Kodu

e1

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

36W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vgsth Max Id

2.4V @ 50μA

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Continuous Drain Id25

17A Ta 68A Tc

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

40ns

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-XBCC-N2

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

4.826mm

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

1570pF @ 13V

Direnç

4.9MOhm

Power Dissipation Max

2.2W Ta 36W Tc

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

2

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

14 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yükseklik

506μm

Rds On Max Id Vgs

4.9m Ω @ 17A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

18nC @ 4.5V

Turn On Delay Time

11 ns

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric SQ

Genişlik

3.95mm