IRF6691TR1

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Turn Off Delay Time

25 ns

Reach Svhc

No SVHC

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±12V

Reverse Recovery Time

32 ns

Rds On Max Id Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Input Capacitance

6.58nF

Akım Değeri

32A

Drain To Source Resistance

1.8mOhm

Forward Voltage

650mV

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MT

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MT

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

23 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

71nC @ 4.5V

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Fall Time Typ

10 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Yayın Yılı

2005

Continuous Drain Current Id

32A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

2.8W

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Current Continuous Drain Id25

32A Ta 180A Tc

Pin Sayısı

7

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

1.8 mΩ

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Dual Supply Voltage

20V

Voltage Rated Dc

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Rise Time

95ns

Parça Durumu

Obsolete