IRF6678TR1PBF

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

65nC @ 4.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

21 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Yükseklik

506μm

Rise Time

71ns

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

30V

Direnç

2.2MOhm

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

89W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

30A Ta 150A Tc

Pin Sayısı

5

Continuous Drain Current Id

24A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Fall Time Typ

8.1 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Turn Off Delay Time

27 ns

Drain To Source Resistance

3mOhm

Input Capacitance

5.64nF

Akım Değeri

30A

Rds On Max Id Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V