IRF6668TRPBF

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

4V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1320pF @ 25V

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

6.35mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e1

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Case Connection

DRAIN

Fall Time Typ

23 ns

Continuous Drain Current Id

55mA

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.0546mm

Rds On Max Id Vgs

15m Ω @ 12A, 10V

Akım Değeri

55A

Turn Off Delay Time

7.1 ns

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Voltage Rated Dc

80V

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

13ns

Current Continuous Drain Id25

55A Tc

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

24 mJ

Vgsth Max Id

4.9V @ 100μA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Power Dissipation

89W

Drain To Source Breakdown Voltage

80V