IRF6665TR1PBF

Teknik Özellikler

Rise Time

2.8ns

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

100V

Direnç

62MOhm

Power Dissipation Max

2.2W Ta 42W Tc

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Seri

HEXFET®

Terminal

SMD/SMT

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Power Dissipation

42W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

4.2A Ta 19A Tc

Pin Sayısı

5

Gate Charge Qg Max Vgs

13nC @ 10V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

7.4 ns

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric SH

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ SH

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Reach Svhc

No SVHC

Element Configuration

Single

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Yükseklik

506μm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

4.826mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

530pF @ 25V

Threshold Voltage

3V

Nominal Vgs

3 V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Dual Supply Voltage

100V

Rds On Max

62 mΩ

Number Of Elements

1

Genişlik

3.95mm