IRF6655TRPBF

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e1

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Uzunluk

4.826mm

Jesd30 Code

R-XBCC-N2

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

530pF @ 25V

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

14 ns

Rds On Max Id Vgs

62m Ω @ 5A, 10V

Akım Değeri

4.2A

Fall Time Typ

4.3 ns

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Case Connection

DRAIN

Yayın Yılı

2006

Continuous Drain Current Id

4.2mA

Genişlik

3.9624mm

Power Dissipation

42W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Drain To Source Breakdown Voltage

100V

Seri

HEXFET®

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

4.2A Ta 19A Tc

Montaj

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

11 mJ

Vgsth Max Id

4.8V @ 25μA

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

100V

Rise Time

2.8ns

Power Dissipation Max

2.2W Ta 42W Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant