IRF6648TR1

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

2.8W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

4.9V @ 150μA

Dual Supply Voltage

60V

Pin Sayısı

7

Current Continuous Drain Id25

86A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

7 mΩ

Rise Time

29ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Voltage Rated Dc

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Nominal Vgs

4 V

Threshold Voltage

4V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2120pF @ 25V

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Akım Değeri

86A

Input Capacitance

2.12nF

Drain To Source Resistance

2MOhm

Reverse Recovery Time

31 ns

Rds On Max Id Vgs

7mOhm @ 17A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

50nC @ 10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MN

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MN

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

16 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C