IRF6637TR1PBF

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Number Of Elements

1

Current Continuous Drain Id25

14A Ta 59A Tc

Pin Sayısı

5

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

7.7 mΩ

Rise Time

15ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

6.35mm

Nominal Vgs

1.8 V

Threshold Voltage

1.8V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1330pF @ 15V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

2.3W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Input Capacitance

1.33nF

Akım Değeri

14A

Drain To Source Resistance

10.8mOhm

Rds On Max Id Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MP

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MP

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

12 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V