IRF6637TR1

Teknik Özellikler

Threshold Voltage

1.8V

Nominal Vgs

1.8 V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1330pF @ 15V

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Power Dissipation Max

2.3W Ta 42W Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Rise Time

15ns

Voltage Rated Dc

30V

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Dual Supply Voltage

30V

Current Continuous Drain Id25

14A Ta 59A Tc

Pin Sayısı

7

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

7.7 mΩ

Seri

HEXFET®

Terminal

SMD/SMT

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Dissipation

2.3W

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Yayın Yılı

2006

Continuous Drain Current Id

14A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

3.8 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MP

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Input Capacitance

1.33nF

Akım Değeri

14A

Reverse Recovery Time

13 ns

Rds On Max Id Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Turn Off Delay Time

14 ns

Reach Svhc

No SVHC

Fet Type

N-Channel