IRF6633TR1PBF

Teknik Özellikler

Rise Time

31ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

20V

Uzunluk

6.35mm

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

5.6MOhm

Nominal Vgs

1.8 V

Threshold Voltage

1.8V

Input Capacitance Ciss Max Vds

1250pF @ 10V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

2.3W Ta 89W Tc

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Number Of Elements

1

Current Continuous Drain Id25

16A Ta 59A Tc

Pin Sayısı

5

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

5.6 mΩ

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MP

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

9.7 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

13A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

4.3 ns

Turn Off Delay Time

12 ns

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel