IRF6629TR1PBF

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

20 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Reach Svhc

No SVHC

Drain To Source Voltage Vdss

25V

Input Capacitance

4.26nF

Akım Değeri

29A

Yükseklik

506μm

Drain To Source Resistance

2.7mOhm

Rds On Max Id Vgs

2.1mOhm @ 29A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

51nC @ 4.5V

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

20 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Continuous Drain Current Id

23A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

7.4 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

100W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.35V @ 100μA

Dual Supply Voltage

25V

Current Continuous Drain Id25

29A Ta 180A Tc

Pin Sayısı

5

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

2.1 mΩ

Rise Time

67ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

25V

Radyasyon Dayanımı

No

Nominal Vgs

1.8 V