IRF6628TRPBF

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

6.35mm

Jesd30 Code

R-XBCC-N3

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

3770pF @ 15V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Number Of Elements

1

Drain Currentmax Abs Id

160A

Case Connection

DRAIN

Fall Time Typ

6.7 ns

Continuous Drain Current Id

22A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Turn Off Delay Time

17 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V

Rds On Max Id Vgs

2.5m Ω @ 27A, 10V

Akım Değeri

27A

Voltage Rated Dc

25V

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

83ns

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation Max

2.8W Ta 96W Tc

Direnç

2.5MOhm

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

96W

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Seri

HEXFET®

Current Continuous Drain Id25

27A Ta 160A Tc

Pin Sayısı

5

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Avalanche Energy Rating Eas

38 mJ