IRF6623TR1PBF

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric ST

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ ST

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Turn On Delay Time

9.7 ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Yükseklik

506μm

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Reach Svhc

No SVHC

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

1.4W Ta 42W Tc

Direnç

5.7MOhm

Voltage Rated Dc

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

40ns

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

16A Ta 55A Tc

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.2V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Power Dissipation

42W

Seri

HEXFET®

Terminal

SMD/SMT

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Fall Time Typ

4.5 ns

Genişlik

3.95mm

Continuous Drain Current Id

13A

Yayın Yılı

2006

Rds On Max Id Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Akım Değeri

16A

Input Capacitance

1.36nF

Drain To Source Resistance

9.7mOhm

Turn Off Delay Time

12 ns

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V