IRF6620TR1

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

4130pF @ 10V

Nominal Vgs

2.45 V

Direnç

2.7mOhm

Threshold Voltage

2.45V

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

20V

Rise Time

80ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

2.7 mΩ

Current Continuous Drain Id25

27A Ta 150A Tc

Pin Sayısı

7

Dual Supply Voltage

20V

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.45V @ 250μA

Power Dissipation

2.8W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Seri

HEXFET®

Fall Time Typ

6.6 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Yayın Yılı

2005

Continuous Drain Current Id

22A

Genişlik

5.05mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

18 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Gate Charge Qg Max Vgs

42nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

2.7mOhm @ 27A, 10V

Reverse Recovery Time

23 ns

Drain To Source Resistance

2.1Ohm

Input Capacitance

4.13nF