IRF6619TR1PBF

Teknik Özellikler

Rise Time

71ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

6.35mm

Voltage Rated Dc

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

5040pF @ 10V

Nominal Vgs

1.55 V

Threshold Voltage

1.55V

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Terminal

SMD/SMT

Seri

HEXFET®

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dual Supply Voltage

20V

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.45V @ 250μA

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

2.2 mΩ

Number Of Elements

1

Current Continuous Drain Id25

30A Ta 150A Tc

Pin Sayısı

5

Gate Charge Qg Max Vgs

57nC @ 4.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

21 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MX

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MX

Continuous Drain Current Id

24A

Yayın Yılı

2006

Genişlik

5.05mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Fall Time Typ

9.3 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Vgs Max

±20V