IRF6618TR1PBF

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Drain To Source Resistance

3.4mOhm

Akım Değeri

30A

Input Capacitance

5.64nF

Yükseklik

506μm

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Turn Off Delay Time

27 ns

Fall Time Typ

8.1 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Continuous Drain Current Id

23A

Yayın Yılı

2007

Genişlik

5.05mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Turn On Delay Time

21 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

DIRECTFET™ MT

Kılıf / Paket

DirectFET™ Isometric MT

Gate Charge Qg Max Vgs

65nC @ 4.5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

2.2 mΩ

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

30A Ta 170A Tc

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.35V @ 250μA

Power Dissipation

89W

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Seri

HEXFET®

Power Dissipation Max

2.8W Ta 89W Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

5640pF @ 15V

Direnç

2.2MOhm