IRF6613TRPBF

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e1

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-XBCC-N3

Uzunluk

6.35mm

Threshold Voltage

2.25V

Input Capacitance Ciss Max Vds

5950pF @ 15V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

27 ns

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Additional Feature

LOW CONDUCTION LOSS

Akım Değeri

23A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

3.4m Ω @ 23A, 10V

Genişlik

5.0546mm

Yayın Yılı

2006

Continuous Drain Current Id

150mA

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Case Connection

DRAIN

Fall Time Typ

4.9 ns

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Power Dissipation

89W

Vgsth Max Id

2.25V @ 250μA

Avalanche Energy Rating Eas

200 mJ

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

5

Current Continuous Drain Id25

23A Ta 150A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

47ns