IRF5305LPBF

Teknik Özellikler

Power Dissipation

110W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Ambalaj

Tube

Drain To Source Breakdown Voltage

-55V

Seri

HEXFET®

Rds On Max

60 mΩ

Montaj Tipi

Through Hole

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

31A Tc

Montaj

Through Hole

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

10.668mm

Rise Time

66ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

3.8W Ta 110W Tc

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

1200pF @ 25V

Direnç

60mOhm

Nominal Vgs

-4 V

Drain To Source Voltage Vdss

55V

Vgs Max

±20V

Fet Type

P-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Turn Off Delay Time

39 ns

Rds On Max Id Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

Drain To Source Resistance

60mOhm

Input Capacitance

1.2nF

Yükseklik

9.65mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

14 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-262

Kılıf / Paket

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Gate Charge Qg Max Vgs

63nC @ 10V

Fall Time Typ

63 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V