IRF2804STRLPBF

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

6450pF @ 25V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yayın Yılı

2003

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Direnç

2MOhm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation Max

300W Tc

Drain Currentmax Abs Id

270A

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

4V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

HEXFET®

Avalanche Energy Rating Eas

540 mJ

Power Dissipation

300W

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Case Connection

DRAIN

Gate Charge Qg Max Vgs

240nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Recovery Time

84 ns

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Additional Feature

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

Akım Değeri

75A

Current Continuous Drain Id25

75A Tc

Transistor Application

SWITCHING

Montaj

Surface Mount

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Uzunluk

10.668mm

Rise Time

120ns