IRF1404LPBF

Teknik Özellikler

Direnç

4mOhm

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation Max

3.8W Ta 200W Tc

Drain Currentmax Abs Id

75A

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

7360pF @ 25V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Yayın Yılı

2004

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tube

Power Dissipation

200W

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Case Connection

DRAIN

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Threshold Voltage

4V

Montaj Tipi

Through Hole

Seri

HEXFET®

Montaj

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Uzunluk

10.668mm

Rise Time

140ns

Continuous Drain Current Id

162A

Voltage Rated Dc

40V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

200nC @ 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Additional Feature

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

Akım Değeri

162A

Nominal Vgs

4 V

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Current Continuous Drain Id25

162A Tc