IPW60R120P7XKSA1

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

TO-247-3

Yüzey Montaj

NO

JESD-609 Kodu

e3

Drainsource On Resistancemax

0.12Ohm

Input Capacitance Ciss Max Vds

1544pF @ 400V

Seri

CoolMOS™ P7

Gate Charge Qg Max Vgs

36nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Vgsth Max Id

4V @ 410μA

Power Dissipation Max

95W Tc

Avalanche Energy Rating Eas

82 mJ

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tube

Rds On Max Id Vgs

120m Ω @ 8.2A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Pulsed Drain Currentmax Idm

78A

Current Continuous Drain Id25

26A Tc

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2014

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±20V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Fet Type

N-Channel

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Element Material

SILICON