IPU60R2K0C6BKMA1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Continuous Drain Id25

2.4A Tc

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Vgsth Max Id

3.5V @ 60μA

Yayın Yılı

2008

Input Capacitance Ciss Max Vds

140pF @ 100V

Kurşunsuz Kodu

no

Avalanche Energy Rating Eas

11 mJ

Pin Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

6.7nC @ 10V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Transistor Application

SWITCHING

Vgs Max

±20V

Terminal Sayısı

3

Seri

CoolMOS™

Number Of Elements

1

Yüzey Montaj

NO

Montaj Tipi

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Parça Durumu

Obsolete

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 760mA, 10V

Reach Svhc

No SVHC

Direnç

1.8Ohm

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Pulsed Drain Currentmax Idm

6A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ambalaj

Tube

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation Max

22.3W Tc

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

RoHS Compliant