IPT059N15N3ATMA1

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PSSO-F2

JESD-609 Kodu

e3

Current Continuous Drain Id25

155A Tc

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

8-PowerSFN

Ds Breakdown Voltagemin

150V

Transistor Element Material

SILICON

Drainsource On Resistancemax

0.0059Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Yayın Yılı

2012

Input Capacitance Ciss Max Vds

7200pF @ 75V

Vgsth Max Id

4V @ 270μA

Gate Charge Qg Max Vgs

92nC @ 10V

Avalanche Energy Rating Eas

520 mJ

Number Of Elements

1

Seri

OptiMOS™

Terminal Sayısı

2

Vgs Max

±20V

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

SINGLE

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Parça Durumu

Active

Drain To Source Voltage Vdss

150V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

8V 10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

ECCN Kodu

EAR99

Rds On Max Id Vgs

5.9m Ω @ 150A, 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Pulsed Drain Currentmax Idm

620A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

FLAT

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Case Connection

DRAIN

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant