IPP60R199CPXKSA1

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

1520pF @ 100V

Continuous Drain Current Id

16A

Transistor Element Material

SILICON

Rds On Max Id Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

Turn Off Delay Time

50 ns

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Voltage Rated Dc

600V

Current Continuous Drain Id25

16A Tc

Kurşunsuz Kodu

yes

Gate Charge Qg Max Vgs

43nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tube

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Voltage Vdss

650V

JESD-609 Kodu

e3

Turn On Delay Time

10 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

CoolMOS™

Yayın Yılı

2007

Parça Durumu

Not For New Designs

Montaj

Through Hole

Power Dissipation Max

139W Tc

Akım Değeri

16A

Vgsth Max Id

3.5V @ 660μA

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Number Of Elements

1

Halogen Free

Halogen Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Jedec95 Code

TO-220AB

Pin Sayısı

3