IPP60R099CPAAKSA1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Yüzey Montaj

NO

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

105m Ω @ 18A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2800pF @ 100V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Gate Charge Qg Max Vgs

80nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

no

Drain Currentmax Abs Id

31A

Ambalaj

Tube

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

0.105Ohm

Current Continuous Drain Id25

31A Tc

Vgsth Max Id

3.5V @ 1.2mA

Pulsed Drain Currentmax Idm

93A

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Not For New Designs

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Power Dissipation Max

255W Tc

Yayın Yılı

2009

Seri

CoolMOS™

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Vgs Max

±20V

Pin Sayısı

3

Avalanche Energy Rating Eas

800 mJ

Jedec95 Code

TO-220AB

Kılıf / Paket

TO-220-3