IPP50R199CPXKSA1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2008

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Pulsed Drain Currentmax Idm

40A

Vgsth Max Id

3.5V @ 660μA

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Halogen Free

Rise Time

14ns

Case Connection

ISOLATED

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Jedec95 Code

TO-220AB

Power Dissipation

139W

Reach Svhc

No SVHC

Input Capacitance Ciss Max Vds

1800pF @ 100V

Fet Type

N-Channel

Yüzey Montaj

NO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fall Time Typ

10 ns

Current Continuous Drain Id25

17A Tc

Ambalaj

Tube

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate Charge Qg Max Vgs

45nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Turn On Delay Time

35 ns

Seri

CoolMOS™

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

139W Tc

Parça Durumu

Not For New Designs

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-220-3

Vgs Max

±20V

Transistor Element Material

SILICON